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深圳市浩畅半导体有限公司

二极管,三极管,高低压MOS管,整流桥堆,可控硅,电源管理IC,三端稳压IC,运放电...

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厂家热销三极管MMBT5401LT1丝印2L小电流0.6A功耗0.3A
品牌:浩畅型号:MMBT5401LT1用途:功率结构:PNP管原理:双极性(BJT)半导体材料:锗封装方式:塑料封装工艺:平面型三极管功耗:0.3W频率特性:100MHz电流0.6:0.6A击穿电压:150V放大倍数:100~300压降:0.5V型号:MMBT5401LT1产品丝印:2L极性:PNP电流:600MA功耗:300MW反压BVCBO:160V击穿电压BVCBO:150V基极电压BVC
2019-07-05
BC556 TO-92直插式三极管中文参数介绍 厂家直销
品牌:其他型号:BC556用途:放大结构:PNP管原理:双极性(BJT)半导体材料:硅封装方式:塑料封装工艺:平面型三极管功耗:0.625W频率特性:150MHz电流:100MABVCBO:80VBC556 TO-92直插式三极管中文参数介绍:产品型号:BC556产品封装:TO-92品牌:HC/浩畅是否进口:国产原装是否环保:无铅环保集电极-基极电压VCBO:80V
2019-07-05
A42 TO-92直插式三极管中文参数介绍 厂家直销
品牌:其他型号:A42用途:放大结构:PNP管原理:双极性(BJT)半导体材料:硅封装方式:塑料封装工艺:平面型三极管功耗:0.625W频率特性:50MHz电流:500MABVCBO:300VA42 TO-92直插式三极管中文参数介绍:产品型号:A42产品封装:TO-92品牌:HC/浩畅是否进口:国产原装是否环保:无铅环保集电极-基极电压VCBO:300V集电极
2019-06-20
三极管MMBT5551LT1丝印G1小电流0.6A功耗0.3A
品牌:浩畅型号:MMBT5551LT1用途:功率结构:NPN管原理:双极性(BJT)半导体材料:锗封装方式:塑料封装工艺:平面型三极管功耗:0.3W频率特性:80MHz电流0.6:0.6A击穿电压:160V放大倍数:100~300压降:0.5V型号:MMBT5551LT1产品丝印:G1极性:NPN电流:600MA功耗:300MW反压BVCBO:180V击穿电压BVCBO:160V基极电压BVCB
2019-06-16
热销三极管MMBT5401LT1丝印2L小电流0.6A功耗0.3A
品牌:浩畅型号:MMBT5401LT1用途:功率结构:PNP管原理:双极性(BJT)半导体材料:锗封装方式:塑料封装工艺:平面型三极管功耗:0.3W频率特性:100MHz电流0.6:0.6A击穿电压:150V放大倍数:100~300压降:0.5V型号:MMBT5401LT1产品丝印:2L极性:PNP电流:600MA功耗:300MW反压BVCBO:160V击穿电压BVCBO:150V基极电压BVC
2019-06-07
厂家三极管MMBT5401LT1丝印2L小电流0.6A功耗0.3A
品牌:浩畅型号:MMBT5401LT1用途:功率结构:PNP管原理:双极性(BJT)半导体材料:锗封装方式:塑料封装工艺:平面型三极管功耗:0.3W频率特性:100MHz电流0.6:0.6A击穿电压:150V放大倍数:100~300压降:0.5V型号:MMBT5401LT1产品丝印:2L极性:PNP电流:600MA功耗:300MW反压BVCBO:160V击穿电压BVCBO:150V基极电压BVC
2019-05-14
厂家热销贴片晶体三极管MMBT5551LT1
品牌:浩畅型号:MMBT5551LT1用途:功率结构:NPN管原理:双极性(BJT)半导体材料:硅封装方式:塑料封装工艺:平面型三极管功耗:0.6W频率特性:80MHz电流:600MA功耗:300MW极性:NPN封装:TO-92脚位:EBC 特价供应浩畅晶体三极管MMBT5551LT1丝印G1详细产品参数:产品品牌:浩畅产品型号:插件2N5551 ,贴片MMBT5551LT1
2019-04-28
三极管SS8550LT1丝印Y2大电流1.5A功耗0.3W
品牌:浩畅型号:SS80501LT1用途:功率结构:PNP管原理:双极性(BJT)半导体材料:锗封装方式:塑料封装工艺:平面型三极管功耗:0.3W频率特性:100MHz电流:1.5A击穿电压:18V放大倍数:120~400压降:0.5V型号:SS8550LT1产品丝印:Y2极性:PNP电流:1500MA功耗:300MW反压BVCBO:40V击穿电压BVCBO:25V基极电压BVCBO:5V放
2019-04-17